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IXFA4N100P
IXFP4N100P
5
Fig. 7. Input Admittance
5
Fig. 8. Transconductance
4.5
4
4.5
4
T J = - 40oC
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25oC
125oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
12
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
10
14
12
V DS = 500V
I D = 2A
I G = 10mA
8
10
6
4
2
0
T J = 125oC
T J = 25oC
8
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
f = 1 MHz
Ciss
1,000
0.1
Coss
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_4N100P(45-744)10-08-08
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